RG-3-8硒化炉

RG-3-8硒化炉主要技术参数：

1、额定功率：3 Kw±10%

2、额定温度：A区230 ℃、B区800 ℃

3、冷态极限真空度：6.67×10-3 Pa(在100℃温度以下允许抽真空)

4、压升率：2.0 Pa/h

5、工作区尺寸：Φ100×600 mm（直径×长）

6、控温区数：3区

7、保护气氛：氩气

9、充气压力：≤500 Pa

10、电源：三相  380V  50Hz

RG-3-8硒化炉

详细描述：

此设备主要用于铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的硒化反应处理。

CIGS薄膜太阳能电池首先用磁控溅射制备出铜铟镓(CIG)薄膜预制层，然后在此设备中用固态硒源实现硒化处理，从而反应生成CIGS薄膜太阳能吸收层。

设备特点：

1、过滤器采用德国莱宝公司结构制作，吸附力强，便于取出清理和更换滤芯。

2、我公司采用国内的氦质谱真空检漏仪进行压升率检测，可保证技术指标的可信和准确，压升率指标接近或低于国标的小值。

ZG-450D多晶硅铸锭炉

技术参数：

1.额定功率：200KW  

2.常用温度：1500℃，高温度：1600℃

3.冷态极限真空度：＜1Pa 

4.坩埚尺寸：870×870×420（L×W×H）mm

5、大铸锭重量:450Kg

6.移动隔热屏大位移量：380（mm）

7.移动隔热屏提升速度：5～100mm/h(可调)

详细描述：

设备用途：本设备采用电阻加热方式，底部进出料结构。一次装入多达450Kg/500kg（视坩埚尺寸而定）多晶硅原料，用于多晶硅料的铸锭。

设备特点：

1、炉底设有防漏硅装置及防爆装置；

2、温度梯度好，拉出硅棒效果好，杂质少；

3、炉底升降采用机械传动机构，定向结晶通过炉内升降机构，伺服机构保温罩升降平稳，操作方便；

4、一种带可升降式保温罩的多晶硅铸锭炉；一种带水冷式双电极和软电缆的多晶硅炉；