ZTD-800B单晶硅炉

ZTD-800B单晶硅炉

ZTD-900B单晶硅炉

ZTD-950B单晶硅炉

技术参数：

设备用途：

ZTD-800B单晶硅炉为生产太阳能电池用的单晶炉，坩埚尺寸18-22英寸，产量从60-130Kg，单晶硅棒直径6.5-8英寸，设备高度为6.1-6.7米，主要可生产主流8英寸单晶硅棒。

本公司可提供生长工艺，保证生长出合格的单晶硅。设有样机，欢迎来人参观考察。

ZR-12-10实验用中温真空炉

详细描述：

采用箱式炉结构炉柜一体化设计，适用高校科研单位进行材料的真空或保护气氛下的热处理，炉内设有一耐热钢炉罐，罐内安装有料台及保温层。

主要参数如下：

1.额定功率：12kw

2.炉罐内尺寸：160*250*400mm

3.高温度：1000度

4.极限真空度：＜10Pa

ZR-12-11真空电阻加热炉

设备用途：

本设备是用镍铬合金丝作发热元件的实验用内热式真空热处理炉，炉体与控制柜一体化结构，卧式炉体，侧面打开炉门，适用于金属材料在高真空、中温条件下进行回火、退火、钎焊、烧结、除气处理，同时也适于金属化合物的真空热处理用。

设备特点：

整个设备为方形箱体结构，卧式炉体，装取料方便；所有动作操作均在炉体正面操作完成，操作方便，集控制柜与炉体一体化结构，占地小，节约占地面积；耗水量少，使用方便，用户只要水、电齐全就可以直接使用，集成安装水、电、气接口。

主要技术参数：

1、额定功率：12KW

2、额定使用温度：1100℃（气氛保护下）

3、大有效加热空间：Φ120×200㎜

4、冷态极限真空度：5×10-4 Pa

5、压升率：≤2.0 Pa/h

6、电源：380V/50Hz

7、充气介质：氩气、氮气或少量氢气

8、大充气压力：＜0.03MPa

9、控温精度：±1℃

ZT-50-16晶体退火炉

用途：

真空晶体退火炉是用石墨作发热元件的立式实验用真空电阻炉，炉底装料电动升降，供金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛中烧结制品。

技术参数：

1、型式：立式，底盘下沉

2、额定功率：50±10%Kw

3、电源电压：三相  380V  50Hz

4、高温度：1600℃

5、工作区尺寸：Φ300×300

6、升温速率：15℃/min

7、恒温区温度均匀性：≤±10℃（1400℃）

8、冷态极限真空度：6.67×10-3Pa

9、工作真空度（空炉）：5×10-2Pa

10、压升率：≤2Pa/h

11、1路充气管路，充气冷却

12、充气压力：＜0.03MPa（相对压力）